一种空心纳米球阵列传感器的制备方法

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专利号CN109060897A
申请日2018-06-06
专利类型: 未知
发明人邵**鑫
权利人南**学 让权利人联系我
刘欢

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基本信息

一种空心纳米球阵列传感器的制备方法
申请号 CN201810573330.8 分类号
申请日期 2018-06-06 有效期
公开日期 2018-12-21 公开号 CN109060897A
发明人/设计人 邵**鑫 权利人 南**学
专利类型 未知 十象顾问 刘欢 联系TA

摘要介绍

一种空心纳米球阵列传感器的制备方法,包括如下步骤:(a)衬底基材预处理;(b)光刻蚀法对预处理的硅衬底进行加工;(c)正丙醇中清洗、通氮气干燥;(d)选取Ti作为附着层,Au作为检测电极,采用辉光真空镀膜方法对干燥后的样品进行检测电极沉积;(e)通过剥离技术去除步样品表面残余的光刻胶;(f)制备溶胶溶液,对干燥后的样品衬底进行旋涂制膜;(g)对样品先进行后置热蒸水热处理,然后通氮气保护进行焙烧,制备传感材料与器件一体的气体传感器。本发明把握有害气体分子(SO2)检测技术与应用技术创新的平衡点,实现材料制备与器件集成相统一,提升传感器对SO2的特征识别能力以及对响应信号的快速提取和增强能力。

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