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专利介绍
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基本信息
一种石墨烯透明电极薄膜的制备方法
申请号 | CN201611253178.2 | 分类号 | |
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申请日期 | 2016-12-30 | 有效期 | |
公开日期 | 2018-11-16 | 公开号 | CN106756835B |
发明人/设计人 | 吴**余 | 权利人 | 南**学 |
专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明涉及一种石墨烯透明电极薄膜的制备方法,以氧化还原石墨片为石墨烯溅射的靶材元素,借助双阴极辉光等离子放电作用在不同基体表面溅射沉积石墨烯薄膜的方法。本发明中石墨烯在溅射成膜过程中由于两个阴极的等离子同时产生作用,增强了体系的辉光放电成膜效率。因此,所得石墨烯薄膜质量较好,性能较为稳定。本发明对基体的材料及形状具有较大的选择性,可以在不同形状及不同材料的基体上制备石墨烯薄膜,所制备的石墨烯薄膜较为均匀,而且可以大面积量制备。
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