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专利介绍
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基本信息
一种氧化物透明电极薄膜的制备方法
申请号 | CN201611253177.8 | 分类号 | |
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申请日期 | 2016-12-30 | 有效期 | |
公开日期 | 2019-01-01 | 公开号 | CN106756792B |
发明人/设计人 | 吴**娅 | 权利人 | 南**学 |
专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明涉及一种氧化物透明电极薄膜的制备方法,在石英片上利用双层辉光等离子溅射反应成膜的方法实现低熔点氧化锌透明电极薄膜的制备。本发明以低熔点金属元素为靶材,为了提高元素及氧元素反应的供应量和供应效率,在基片和靶材周围形成双层辉光等离子放电,成膜仅需要10‑30min。本发明通过低熔点金属元素和氧元素的溅射反应形成大面积高质量的氧化物透明薄膜电极,薄膜的厚度在5‑10微米。本发明得到的薄膜表面质量高,具有高度的c轴(002)取向,在可见光波段平均透过率能够达到80%以上,并且薄膜能有效的屏蔽紫外光。该方法所制备的氧化物薄膜表面质量高、工艺可控性好、制备快速、成本低,尤其适合大面积快速制备。
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