致密W-Cu复合材料的低温制备方法

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专利号CN102031411B
申请日2010-12-01
专利类型: 未知
发明人沈**萍
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刘欢

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基本信息

致密W-Cu复合材料的低温制备方法
申请号 CN201010566861.8 分类号
申请日期 2010-12-01 有效期
公开日期 2012-07-04 公开号 CN102031411B
发明人/设计人 沈**萍 权利人 武*学
专利类型 未知 十象顾问 刘欢 联系TA

摘要介绍

本发明提供一种致密W-Cu复合材料的低温制备方法,该方法是;采用Zn粉作为添加剂,将W粉、Cu粉按照体积分数比为W=10.0%~75.0%,Cu=25.0%~90.0%,Zn占W-Cu总质量分的0.5%~2.0%进行三维混料,然后放入真空热压炉中,按指定真空热压烧结工艺进行真空热压烧结得到致密的W-Cu复合材料,所述真空热压烧结工艺为:真空度为1×10-3~1×10-4Pa,烧结温度为700℃~900℃,保温时间为1~4h,施加压力大小为80~200MPa。本发明可以在较低的烧结温度下获得致密度高的W-Cu复合材料,具有明显的工艺简单、成本低、成分调控范围广且精确等优点。

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