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专利介绍
平台严控核验 保障专利真实有效
基本信息
一种快速制备高性能MgSi基热电材料的方法
| 申请号 | CN201310358162.8 | 分类号 | |
|---|---|---|---|
| 申请日期 | 2013-08-16 | 有效期 | |
| 公开日期 | 2016-08-17 | 公开号 | CN103436723B |
| 发明人/设计人 | 唐*强 | 权利人 | 武*学 |
| 专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明涉及一种快速制备高性能Mg2Si基热电材料的方法，它包括以下步骤：1)按Mg2(1+0.02)Si1-xSbx(0≤x≤0.025)各原子的化学计量比进行称量，然后将它们研磨混合均匀，将混合均匀的粉末压成块体；2)将步骤1)所得块体引发自蔓延反应完成后自然冷却，均可得到单相Mg2(1+0.02)Si1-xSbx化合物；3)将上述所得产物研磨成粉末，进行放电等离子体活化烧结，得到高性能Mg2Si基热电材料。本发明具有反应速度快、工艺简单、高效节能和重复性好等优点，整个制备过程可在0.5h之内完成，并且所得块体热电优值ZT在875K可达0.73。
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