一种碳化硅薄膜的制备方法

本发明涉及一种立方碳化硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：将清洗后的基板放入冷壁式激光化学气相沉积装置的基板座上，抽真空；通入适量氩气；打开激光照射基板表面，待基板温度升至设定沉积碳化硅薄膜的温度，并保持稳定；打开含有HMDS的载流气，并调节反应室真空度，保持5～30分钟；关闭含有HMDS的载流气，再关闭激光和稀释气体，抽真空，并自然冷却至室温。本发明的有益效果是：具有较高的比表面积与丰富的表面形貌。因而催化剂更易于附着在碳化硅载体表面，不仅能增加了催化剂的加载量以及与载体的附着力，而增加催化剂的使用寿命，还可以增加催化剂与反应物质的接触面积，而增加催化剂的催化效率。