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专利介绍
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基本信息
一种快速制备高性能MgSiSn基热电材料的新方法
| 申请号 | CN201310252012.9 | 分类号 | |
|---|---|---|---|
| 申请日期 | 2013-06-24 | 有效期 | |
| 公开日期 | 2015-07-22 | 公开号 | CN103320636B |
| 发明人/设计人 | 唐**康 | 权利人 | 武*学 |
| 专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明涉及一种快速制备高性能Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料的新方法，它包括如下步骤：1)按Mg2(1+0.08)(Si0.3Sn0.7)1-ySby(0≤y≤0.025)热电材料中各原子的化学计量比进行称量，将原料粉体在研钵中混合均匀，将混合均匀的粉末压成块体；2)将所得块体置于石墨坩埚后，置于熔体旋甩急冷设备中进行熔融旋甩，得到Mg2(Si0.3Sn0.7)1-ySby带状产物；3)将Mg2(Si0.3Sn0.7)1-ySby带状产物研磨成粉末，对其进行放电等离子体活化烧结，得到高性能Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料。本发明具有节省能源、制备时间极短和工艺参数简单等特点，所得块体的热电优值ZT可达1.3。
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