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专利介绍
平台严控核验 保障专利真实有效
基本信息
一种立方碳化硅薄膜的制备方法
| 申请号 | CN201410317559.7 | 分类号 | |
|---|---|---|---|
| 申请日期 | 2014-07-04 | 有效期 | |
| 公开日期 | 2017-02-15 | 公开号 | CN104087909B |
| 发明人/设计人 | 章**盟 | 权利人 | 武*学 |
| 专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明公开了一种立方碳化硅薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将单晶硅基板放入冷壁式激光化学气相沉积装置的基板座上，抽真空，并设置基板座温度升至100～900℃；(2)将含HMDS的载流气通入反应器内，HMDS的流量为1～20sccm，调节真空度至10～10kPa；(3)加载连续激光照射硅基板表面，波长750～1150纳米，功率为10～150W，时间为1～10分钟；(4)停止通入含有HMDS的载流气，关闭激光和停止加热，抽真空并自然冷却至室温，即得到立方碳化硅薄膜。本发明制备的立方碳化硅薄膜的面缺陷倾斜于薄膜生长方向生长，相邻缺陷相遇时能够发生“自消亡”现象，从而有效降低了材料中的晶体缺陷。
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