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专利介绍
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基本信息
氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法
申请号 | CN201610788846.5 | 分类号 | |
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申请日期 | 2014-03-28 | 有效期 | |
公开日期 | 2019-01-25 | 公开号 | CN106206943B |
发明人/设计人 | 朱**荣 | 权利人 | 江*院 |
专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明公开了一种氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法,相变薄膜材料由Zn、Sb、N三种元素组成,其化学组成通式为Nx(Zn15Sb85)1‑x,其中0.48≤x≤0.49。制备时通过在射频溅射沉积Zn15Sb85薄膜的过程中同时通入氩气和氮气,得到的相变薄膜材料中掺杂氮元素。本发明的掺氮改性相变薄膜材料与纯的Zn15Sb85薄膜相比,改性后的薄膜具有较快的晶化速度,大大提高相变存储器的存储速度;而且改性后的薄膜的晶化温度和激活能较高,数据保持能力得到加强;掺氮改性相变薄膜材料的晶态电阻和非晶态电阻更高,使得RESET功耗降低,有限降低用其制作的相变存储器的操作功耗。
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