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专利介绍
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基本信息
钛基底上镍锰复合氧化物纳米菱柱阵列电极及其制备方法
申请号 | CN201610817064.X | 分类号 | |
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申请日期 | 2016-09-12 | 有效期 | |
公开日期 | 2018-07-17 | 公开号 | CN106449158B |
发明人/设计人 | 刘**越 | 权利人 | 武*学 |
专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明属于无机材料制备和电化学应用领域,具体涉及一种钛基底上镍锰复合氧化物纳米菱柱阵列电极及其制备方法。所述电极由钛金属基底和钛金属基底上生长的镍锰复合氧化物纳米菱柱阵列构成,所述镍锰复合氧化物纳米菱柱垂直、均匀、密集地分布在钛金属基底表面,呈现阵列形式;单根镍锰复合氧化物纳米菱柱的直径为200~500nm。本发明所述钛基底上镍锰复合氧化物纳米菱柱阵列电极,在三电极体系中,其工作电压区间可以达到0~1.4V,且没有明显的水电解发生,是罕见的具有宽工作电压区间的材料,可用作超级电容器的正极材料并展现出良好的电化学性能,具有广泛的应用价值。
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