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专利介绍
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基本信息
半中空双连续HVO/石墨烯管中线结构同轴纳米线材料及其制备方法和应用
申请号 | CN201310434930.3 | 分类号 | |
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申请日期 | 2013-09-23 | 有效期 | |
公开日期 | 2015-07-22 | 公开号 | CN103474629B |
发明人/设计人 | 麦**雨 | 权利人 | 武*学 |
专利类型 | 未知 | 十象顾问 | 刘欢 联系TA |
摘要介绍
本发明涉及半中空双连续H2V3O8/石墨烯管中线结构同轴纳米线材料及其制备方法,由石墨烯自卷曲包覆H2V3O8纳米线形成,石墨烯自卷曲形成的石墨烯卷与H2V3O8纳米线之间存在间隙,其中H2V3O8纳米线直径为20-80nm。该纳米材料可作为锂离子电池正极活性材料。本发明具有工艺简单、成本低等优点,由电极材料组装的电池具有循环稳定性好、在大电流下电化学性能优异等特点。
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